Группа китайских учёных из Университета электронных наук и технологий Китая (UESTC), Университета Цинхуа и Шанхайского института микросистем и информационных технологий разработала полупроводниковый источник запутанных фотонов, который может стать основой для создания надёжных и компактных квантовых чипов. В основе разработки лежит нитрид галлия (GaN), известный производителям светодиодов и чипов на протяжении десятилетий.
Запутывание фотонов позволяет защищать передаваемую информацию (квантовое распределение ключей) и выполнять квантовые вычисления или симуляции. Обе эти операции могут быть выполнены с использованием пар запутанных фотонов. Однако их запутывание остаётся сложным процессом, требующим специальных источников света, например, на основе нитрида кремния или фосфида индия. Переход на нитрид галлия, знакомый производителям светодиодов и чипов, позволит более широко и эффективно использовать квантовые каналы связи и рассмотреть возможность создания квантовых систем на чипе.
Разработанный китайскими учёными источник запутанных фотонов представляет собой кольцо диаметром 120 микрометров, вытравленное на плёнке нитрида галлия (саму плёнку выращивают на сапфировой подложке традиционным способом). При освещении кольца инфракрасным лазером часть фотонов попадает в ловушку и начинает перемещаться по кольцу. Некоторые из этих частиц становятся резонансными парами. Резонансные пары, в свою очередь, в процессе четвертьволнового смешения – известного явления в нелинейной оптике (кольцо из нитрида галлия – это нелинейный оптический канал) – порождают новую пару уже запутанных друг с другом частиц.
Измерения показали, что запутанность, возникающая в кольце нитрида галлия, имеет такое же качество, как и в других квантовых источниках света. Таким образом, предложенное решение можно использовать при проектировании оборудования для квантовых каналов связи и квантовых процессоров. Более того, диапазон длин волн у GaN-источника света достигает 100 нанометров, в отличие от 25,6 нанометров у традиционных источников света. Это позволит расширить и уплотнить каналы передачи квантовой информации.По мнению разработчиков, помимо источника света, GaN также является перспективным материалом для создания других компонентов квантовых схем, включая лазер с накачкой и детекторы лёгких частиц. «Платформа GaN имеет значительный потенциал для создания квантовых фотонных интегральных схем «всё на кристалле» по сравнению с существующими платформами», – заключают учёные.
15-я специализированная конференция «Передовые Технологии Автоматизации. ПТА – Санкт-Петербург 2024» состоится 28 мая 2024 года
28 мая 2024 г. для специалистов в области автоматизации раскроет двери 15 специализированная конференция «Передовые Технологии Автоматизации. ПТА – Санкт-Петербург 2024». 03.05.2024 22 0 0Samsung планирует начать массовое производство 2-нанометровых чипов с использованием технологии GAA в 2025 году
Компания Samsung может начать массовое производство новых чипов с использованием 2-нанометрового технологического процесса в 2025 году, как сообщает gizmochina. В этом 2-нм процессе будет применяться новая технология затворов транзисторов (GAA) следующего поколения, и в 2025 году начнётся массовое производство, а не тестирование. 02.05.2024 68 0 0В Великом Новгороде создали академический совет в области радиоэлектроники
На базе НовГУ – ИНТЦ «Валдай» прошло заседание круглого стола «Новые подходы и практики в инженерном образовании. Передовая инженерная школа», посвящённое созданию нового академического совета в области радиоэлектроники. Круглый стол завершил VI Фестиваль радиотехники, проходивший в регионе. 02.05.2024 60 0 0Конкуренция на рынке CPU для мобильных устройств обостряется
Новый микропроцессор Dimensity 9400 обещает быть очень быстрым. Борьба в сфере процессоров для мобильных устройств мотивирует разработчиков искать методы, которые сделают их предложение наиболее привлекательным, независимо от цены устройства или его возможностей. 02.05.2024 80 0 0